които могат да бъдат разделени на германий диоди (Ge тръби) и силициеви диоди (Si тръби) в зависимост от използваните полупроводни материали. Според различните си приложения, той може да бъде разделен на детектор диод, токоизправител диод, стабилен диод, превключвател диод и така нататък. Съгласно структурата на ядрото тя може да бъде разделена на точков контакт диод, повърхностен контакт диод и планарен диод. Точковият контакт диод е много тънък натиск върху повърхността на полупроводниковата вафла, която е ярка и чиста, с импулсен ток, докоснала края на проводника, силно синтерирайки заедно с чипа, образувайки връзка PN. Благодарение на точковия контакт е разрешен само малък ток (не повече от няколко десетки милиампери), който е подходящ за високочестотни схеми с малък ток, като детекция на радио.
Връзката "PN" на контактния диод на повърхността е по-голяма и позволява по-голям ток (няколко до няколко десетки), който се използва главно за преобразуване на променлив ток в верига с постоянен ток "токоизправител".
Planar диод е един вид специален силициев диод, който може не само да премине голям ток, но и да има стабилно и надеждно изпълнение, което се използва при превключватели, импулси и високочестотни схеми.
Как диодите работят.
Кристалният диод е свръзка, образувана от полупроводников тип п и полупроводник тип п, образувайки слой пространствен заряд от двете страни на интерфейса и е изградено собствено електрическо поле. Когато няма външно напрежение, различният ток, причинен от разликата в концентрацията на носещия елемент между възела PN и самопостроеното електрическо поле, се равнява на състоянието на електрическо равновесие.
Когато външното напрежение е изместено, взаимодействието между външното електрическо поле и самопостроеното електрическо поле увеличава дифузионния ток на носача и предизвиква ток напред.
Когато има отместване на напрежението, външното електрическо поле и електрическото поле са допълнително усилени, а обратният наситен ток I0, който е независим от обратното напрежение, се формира в определен диапазон на напрежението.
Когато се съчетае с обратното напрежение достатъчно високо, интензитетът на електрическото поле в слоя пространствено зареждане достига критичната стойност на процеса на умножение на носителя, произвеждайки голям брой двойки електронни дупки, което доведе до голяма стойност на обратната разбивка на тока, наречена феномен на разрушаване на диод.
Проводимостта на диода.
Най-важната характеристика на диода е еднопосочната проводимост. В схемата, токът може да тече само от положителния полюс на диода, отрицателния отлив. Предходните и обратните характеристики на диодите се демонстрират чрез прости експерименти.