1. UVLED механизъм за осветяване: Напречното напрежение на PN връзката представлява определена бариера. Когато се приложи напрежението на придвижване напред, бариерата намалява и преобладаващите носители в Р и N областите дифузират един към друг. Тъй като подвижността на електрони е много по-голяма от мобилността на дупките, голямо количество електрони дифузират в Р областта, което представлява инжектиране на малцинствени носители в Р областта. Тези електрони се рекомбинират с дупките на валентната лента и енергията, получена по време на рекомбинацията, се освобождава като светлинна енергия. Това е принципът на осветяване на PN прехода.
2, UVLED светлинна ефективност: обикновено се нарича външна квантова ефективност на компонента, който е резултат от вътрешната квантова ефективност на компонента и ефективността на екстракцията на компонента. Вътрешната квантова ефективност на даден компонент всъщност е ефективността на електрооптичното преобразуване на самия компонент, която е свързана главно с характеристиките на самия компонент (като енергийната лента, дефектите и примесите на съставния материал), съставът и структурата на компонента. Ефективността на екстракцията на компонента се отнася до броя на фотоните, които могат да бъдат измерени извън компонента, след като фотоните, генерирани вътре в компонента, се абсорбират, пречупват и отразяват от самия компонент. Следователно, факторите, засягащи ефективността на екстракцията, включват абсорбцията на самия материален компонент, геометрията на компонента, разликата в коефициента на пречупване на компонента и опаковъчния материал и разсейващите характеристики на съставната структура. Продуктът на вътрешната квантова ефективност на компонента и ефективността на екстракцията на компонента е светлинният ефект на целия компонент, който е външната квантова ефективност на компонента. Ранното развитие на компонентите се фокусира върху подобряване на вътрешната квантова ефективност. Основният метод е да се подобри качеството на бариерния кристал и да се промени структурата на кристалния бариера, така че електрическата енергия да не се преобразува лесно в топлинна енергия, като по този начин индиректно подобрява светлинната ефективност на UVLED, като по този начин се получава теория за 70%. Вътрешната квантова ефективност, но такава вътрешна квантова ефективност е почти близо до теоретичната граница. При такива обстоятелства е невъзможно да се увеличи общото количество светлина на модула чрез увеличаване на вътрешната квантова ефективност на модула. Следователно, това е важен предмет на изследването за подобряване на ефективността на екстракцията на компонента. Настоящият метод е главно: промяна на външния вид на зърното - TIP структура, технология за повърхностно грапавост.
3, UVLED електрически характеристики: устройство за контрол на ток, характеристики на натоварване, подобно на кривата на потребителския интерфейс PN, минималната промяна в напрежението на напрежението ще доведе до голяма промяна в преден ток (експоненциално ниво), обратен ток на изтичане е малък, има обратен пробив волтаж. При реална употреба трябва да изберете. UVLED напрежението напред се намалява с увеличаване на температурата и има отрицателен температурен коефициент. UVLED консумира енергия и част от него се превръща в светлинна енергия, което е това, от което се нуждаем. Останалата част се превръща в топлина, което води до повишаване на температурата на връзката. Количеството на отделената топлина (мощност) може да се изрази като.
4, UVLED оптични характеристики: UVLED осигурява полу-широка монохроматична светлина, тъй като енергийната празнина на полупроводника намалява с покачването на температурата, така че нейната пикова дължина на вълната, излъчвана при повишаване на температурата, т.е. 2 ~ 3A /. UVLED излъчва яркост L и ток напред. С увеличаване на тока яркостта на светлината също нараства приблизително. Освен това, яркостта на светлината също е свързана с температурата на околната среда. Когато температурата на околната среда е висока, ефективността на композита се понижава и интензивността на светлината намалява.
5, UVLED топлинни характеристики: при малък ток, LED температурата не е очевидна. Ако температурата на околната среда е висока, основната дължина на вълната на UVLED ще бъде преместена в червено, яркостта ще намалее, а равномерността и последователността на светлината ще се влошат. По-специално, повишаването на температурата на матрицата и големия дисплей имат по-значителен ефект върху надеждността и стабилността на светодиода. Затова термичният дизайн е критичен.
6, UVLED живот: UVLED дългосрочна работа ще доведе до стареене, причинени от разпадане на светлината, особено за висока мощност UVLED, светлината избледнява проблем е по - сериозно. Когато измервате живота на UVLED, не е достатъчно да използвате повредите на лампата като край на живота на UVLED. По-важно е да се определи продължителността на живота на светодиода чрез процента на затихване на светлината на UVLED, като например 35%.
7, висока мощност UVLED пакет: главно за разсейване на топлина и светлина. От гледна точка на разсейването на топлината, термалната облицовка на мед се използва за свързване към радиатора на алуминиева основа, а спояващата връзка се използва като връзка между матрицата и термичната облицовка. Този метод на разсейване на топлината има по-добър ефект и висока производителност. От гледна точка на излъчването на светлина, технологията за обръщане на чипове е приета и отразяващата повърхност се добавя на долната повърхност и страничната повърхност, за да отразява загубената светлинна енергия, така че да може да се получи повече светлина.